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本发明公开一种直拉法生长低位错单晶的热场结构及其生长工艺。该热场结构包括沿单晶炉炉壁设置的主加热器和设置在单晶炉炉底的底加热器。主加热器为上薄下厚的渐变型直筒结构。采用该热场结构生长低位错单晶的工艺至少包括：(1)选择无位错单晶作为籽晶，在...
该专利属于有研光电新材料有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过有研光电新材料有限责任公司授权不得商用。

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