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本发明公开了一种吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮聚合物。该吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮聚合物的结构如式Ⅰ所示。以本发明吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的空穴迁移率为1.31×10...
该专利属于中国科学院化学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院化学研究所授权不得商用。

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