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具有隔离沟道的FINFET器件制造技术
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下载具有隔离沟道的FINFET器件的技术资料
文档序号:15302752
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本发明为具有隔离沟道的FINFET器件。尽管有FinFET和应变硅器件的改进,晶体管仍然继续随着器件尺度缩减而遭受性能下降。这些性能下降具体包括在半传导沟道与衬底之间的电荷泄漏。隔离沟道FinFET器件通过在沟道(鳍)与衬底之间插入绝缘层来...
该专利属于意法半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过意法半导体公司授权不得商用。
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