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基于硒化铟/硅的光电探测器及制备方法技术
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下载基于硒化铟/硅的光电探测器及制备方法的技术资料
文档序号:15289365
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本发明公开了一种基于硒化铟/硅的光电探测器及制备方法,该探测器自下而上依次具有底电极、n型硅基体和开有硅窗口的二氧化硅隔离层,二氧化硅隔离层的上表面覆盖顶电极;顶电极的上表面覆盖硒化铟薄膜,硒化铟薄膜分别与顶电极内侧壁、二氧化硅隔离层上表面...
该专利属于浙江大学所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学授权不得商用。
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