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本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种三极管单面N+扩散层扩散的工艺方法。该工艺方法包括：步骤一，水汽氧化硅片，形成两面氧化层；步骤二，单面腐蚀氧化层；步骤三，预扩散，扩散杂质源，形成预扩散层；步骤四，再扩散，在一定温度下进行结深推进一定时...
该专利属于安徽富芯微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽富芯微电子有限公司授权不得商用。

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