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本发明公开了一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构，包括硅片基体；硅片基体的正面形成有n+轻掺杂层及局部n++重掺杂区，在n+轻掺杂层上形成有通过一个工艺步骤得到的第一钝化减反层，在n++重掺杂区引出负电极。基体的背面形成有p+掺杂层及通...该专利属于西安电子科技大学;国家电投集团西安太阳能电力有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学;国家电投集团西安太阳能电力有限公司授权不得商用。