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本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在形成有半导体层的基板上依次形成有第一及第二金属层；在第二金属层上形成光阻材料层，并图案化光阻材料层形成光阻层；光阻层包括与半导体层相对的通孔、位于通孔两侧的源、漏极区及与漏极区相邻的像素电极...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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