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本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种沟槽式场效应晶体管及其制造方法。本发明制造出的沟槽式场效应晶体管包括衬底、n‑外延层、p型体区、n+有源区、沟槽以及沟槽内的多晶硅栅极和栅氧化层，所述沟槽内还包含绝缘介质层，所述绝缘介质层将多晶硅栅极靠...
该专利属于东莞市联洲知识产权运营管理有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市联洲知识产权运营管理有限公司授权不得商用。

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