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本发明涉及一种光刻版的形成方法，包括下列步骤：生成第一版图；对第一版图进行电阻逻辑运算，形成第二版图；根据第二版图形成光刻版；所第一版图包括第一注入区、有源区、阻挡轻掺杂漏极注入虚拟层、自对准金属硅化物阻挡层、引出端、以及位于引出端内的接触...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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