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本发明公开一种高导电石墨烯/铜基层状复合材料及制备方法，其特征在于，所述的复合材料由CVD石墨烯与板状铜基底交替复合构成层状结构，层内厚度方向为单晶态，且具有(111)晶面高度取向。所述方法为：(1)通过化学气相沉积(CVD)技术在板状铜基...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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