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本发明公开了一种氧化硅钝化层的制备方法，包括以下步骤：在硅片表面制备第IVB族金属的氧化物薄膜，对制备有第IVB族金属的氧化物薄膜的硅片进行退火，在退火过程中硅片与第IVB族金属的氧化物薄膜的界面处形成氧化硅钝化层。本发明的氧化硅钝化层在退...
该专利属于湖南红太阳光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南红太阳光电科技有限公司授权不得商用。

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