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本发明是涉及具有薄化介电材料的结构，是关于半导体结构，并且更具体地说，是关于具有薄化介电材料的结构及制造方法。本方法包括在基板上沉积高k介电质。本方法更包括直接在该高k介电质上沉积氮化钛膜，并同时蚀刻该高k介电质。...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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