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上桥功率元件及其制造方法技术
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文档序号:15238256
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本发明提出一种上桥(high‑side)功率元件及其制造方法。其中,上桥功率元件包含:基板、外延层、高压阱、本体区、栅极、源极、漏极、以及埋区。其中,本体区具有第一导电型,且于通道方向上,与高压阱间具有通道方向接面。埋区形成于基板与外延层中...
该专利属于立锜科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过立锜科技股份有限公司授权不得商用。
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