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本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：衬底，位于衬底上的沟道层，位于沟道层上远离衬底一侧的势垒层，势垒层与沟道层的界面处形成有二维电子气，位于势垒层预设位置处的至少一个凹槽结构，位于势垒层和凹槽结构上远离沟道层...
该专利属于苏州捷芯威半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州捷芯威半导体有限公司授权不得商用。

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