下载基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法的技术资料

文档序号:15227576

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本发明公开了一种基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法,该光电导探测器包括p型硅衬底、二氧化硅隔离层、顶电极、石墨烯薄膜、掺硼硅量子点薄膜和底电极;本发明光电导探测器可以进行宽光谱探测,解决了传统硅基PIN结对红外探测响...
该专利属于浙江大学所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学授权不得商用。

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