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ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED制造技术
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文档序号:15226572
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一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED,以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底,使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层,以ZnO外延层作为高品质导电衬底,后续生长GaN紫外LED外延,LED芯片经剥离和转移后,...
该专利属于南京大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京大学授权不得商用。
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