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一种沟槽式功率晶体管。沟槽式功率晶体管的沟槽栅极结构位于一外延层的元件沟槽内，并至少包括遮蔽电极、栅极电极以及绝缘层。绝缘层包括一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层，其中该第三介电层位于该元件沟槽下半部，且部分位于该元件沟槽下半部的该第...
该专利属于大中积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大中积体电路股份有限公司授权不得商用。

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