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本发明公开了一种缓冲式多晶硅籽晶铸锭熔化结晶工艺，包括如下步骤：(1)多晶硅籽晶装料阶段；(2)多晶硅籽晶铸锭熔化阶段；(3)多晶硅籽晶长晶阶段。本发明通过对不同硅锭降温速率工艺进行了研究，探索了低缺陷密度硅锭制备工艺。同时，为了减少籽晶层...
该专利属于南通大学所有，仅供学习研究参考，未经过南通大学授权不得商用。

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