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一种含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法,包括提供一个半导体衬底,在半导体衬底上淀积双重图形第二硬掩膜层;在双重图形第二硬掩膜层上覆盖一层含硅的有机硬掩膜层作为双重图形第一硬掩膜层;在双重图形第一硬掩膜层上覆盖一层含碳的有机平坦...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。
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一种含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法,包括提供一个半导体衬底,在半导体衬底上淀积双重图形第二硬掩膜层;在双重图形第二硬掩膜层上覆盖一层含硅的有机硬掩膜层作为双重图形第一硬掩膜层;在双重图形第一硬掩膜层上覆盖一层含碳的有机平坦...