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本实用新型公开了一种半导体测试结构，包括下层金属层、上层金属层和通孔，所述下层金属层包括若干下层金属条，所述上层金属层包括两排沿第一方向排列的若干第一上层金属条和沿第二方向排列的若干第二上层金属条，所述第一上层金属条与所述第二上层金属条两两...该专利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。