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一种可配置的单晶声谐振器(SCAR)设备集成电路。该电路包括标号从1到N的多个SCAR设备，其中，N为2和大于2的整数。每个SCAR设备具有形成为覆盖衬底构件的表面区域的一定厚度的单晶压电材料。该单晶压电材料的特征是小于1012缺陷/cm2...
该专利属于阿库斯蒂斯有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿库斯蒂斯有限公司授权不得商用。

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