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本发明公开一种MoS2/Ag/MoS2半导体薄膜材料及其制备方法，该薄膜为层状结构，由上至下依次包括顶层MoS2薄膜层、Ag金属层、底层MoS2薄膜层和本征绝缘Si基片。其制备方法，主要采用直流磁控溅射技术、利用高能电子依次轰击不同靶材表面...
该专利属于中国石油大学（华东）所有，仅供学习研究参考，未经过中国石油大学（华东）授权不得商用。

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