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本发明提供一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制作方法，其包括栅极、在栅极上方形成的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上方形成的半导体层、在半导体层上方形成的欧姆接触层以及位于欧姆接触层上方的源极和漏极，其中，半导体层包括第一非晶硅层、第二非晶硅层以及位于第...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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