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本发明公开了一种磁通门传感器芯片，涉及MEMS集成微制造领域，包括高阻硅衬底、激励线圈、检测线圈、磁芯、电极和二氧化硅薄膜；其中激励线圈和检测线圈均为微机电三维螺线管线圈，激励线圈和检测线圈的底层线圈位于高阻硅衬底表面的硅微槽阵列内，底层线...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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