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本发明提供一种新单晶硅太阳能电池制作方法，属于单晶硅太阳能电池的生产技术领域，以单晶硅片为原料，包括如下步骤：⑴去除单晶硅片表面的损伤层；⑵扩散制pn结；⑶去边缘结，去磷硅玻璃；⑷采用化学气相沉积方法制备金刚石薄膜；⑸丝网印刷，烧结制作电极...
该专利属于浙江向日葵光能科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江向日葵光能科技股份有限公司授权不得商用。

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