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本实用新型涉及一种太赫兹GaN耿氏二极管，包括由下往上依次设置的阴极、n型GaN衬底、n+GaN阴极欧姆接触层、InAlN三维结构电子发射层、n-GaN渡越层、n+GaN阳极欧姆接触层、阳极，还包括设置在n型GaN衬底上并包裹在n+GaN阴...
该专利属于扬州海科电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州海科电子科技有限公司授权不得商用。

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