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一种槽栅型肖特基二极管制造技术
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文档序号:15140990
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本实用新型公开了一种槽栅型肖特基二极管,包括N型基片和二氧化硅基片,所述N型基片的上层设有N-外延层,所述N-外延层上设有槽栅,所述槽栅的中部设置有多晶硅,所述槽栅的侧壁和底部均设有P型外延,所述P型外延与多晶硅通过电介质隔离层隔离,所述N...
该专利属于福建安特微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过福建安特微电子有限公司授权不得商用。
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