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一种具有复合结构的氮化物缓冲层制造技术
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下载一种具有复合结构的氮化物缓冲层的技术资料
文档序号:15124338
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本发明公开一种具有复合结构的氮化物缓冲层,在衬底上生长AlN缓冲层,在AlN缓冲层上依次生长由下层为AlN层和上层为GaN层构成的多组复合结构缓冲层,每一组复合结构缓冲层的厚度相同,多组复合结构缓冲层中的AlN层的厚度沿生长方向逐渐减小直至...
该专利属于厦门乾照光电股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过厦门乾照光电股份有限公司授权不得商用。
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