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公开了一种绝缘隔离半导体器件及其制造方法。所述绝缘隔离半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；位于所述第二半导体层中的半导体岛；以及围绕所述半导体岛的底部和侧壁的第一绝缘隔离层，...该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司授权不得商用。