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本发明公开了一种具有纳米结构的非晶氧化物半导体薄膜，该薄膜包括连续薄膜层和纳米结构层，连续薄膜层直接生长在衬底上；纳米结构层为连续薄膜层的纵向自然延伸，呈现间隔分布的凸起峰和凹陷坑。该薄膜为非晶氧化物半导体ZnTiSnO薄膜。本发明还公开了...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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