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一种半导体器件的形成方法，包括：提供晶圆；在所述晶圆上形成牺牲层；形成所述牺牲层之后，对所述晶圆进行离子注入以调节半导体器件的阈值电压；进行第一湿法清洗，以同时去除所述牺牲层，以及因所述离子注入形成在所述牺牲层中的颗粒。在本发明的技术方案中...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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