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本发明公开了一种带自检测装置的压阻式压力传感器，包括硅衬底、压敏电阻条、二氧化硅和氮化硅复合层、下电极、弹性敏感薄膜、真空密封腔、上电极、铟凸点、上玻璃基板、玻璃、金属引线、硼离子重掺杂扩散区；二氧化硅和氮化硅复合层生长在硅衬底的顶面；硅衬...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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