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本发明公开了一种带隙自偏置的宽高频低噪声放大器，旨在解决现有技术低噪声放大器源简并结构的电流失配问题、以及避免直流偏置的不理想带来的影响。该带隙自偏置的宽高频低噪声放大器，包括低噪声放大电路和带隙基准电路，其中带隙基准电路的电流量受控于数控...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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