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一种NLDMOS及其制作方法，对于NLDMOS，在N型漂移区下方设置反型区，该反型区的掺杂类型为P型，该反型区位于N型深掺杂阱区内，且分别与形成在N型深掺杂阱区内的第一P型体区、N型漂移区以及第二P型体区物理上相接。如此，省略了现有技术中深...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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