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一种制造光伏结构的方法包括在第一电极上方形成含有基于硒化铜铟镓的材料的p型半导体吸收体层，通过在包括氢气和氧气的环境中溅射来在所述p型半导体吸收体层上方形成n型硫化镉层，以及在所述硫化镉层上方形成第二电极。...该专利属于北京铂阳顶荣光伏科技有限公司;贺小庆;安格斯·罗基特;乔尔·瓦利;文森索·洛尔迪所有，仅供学习研究参考，未经过北京铂阳顶荣光伏科技有限公司;贺小庆;安格斯·罗基特;乔尔·瓦利;文森索·洛尔迪授权不得商用。