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一种高效率研磨抛光GaN晶片的方法。本发明提出一种高效率研磨GaN晶片的光电化学机械抛光方法。本发明，通过光照与外加电场作用,将GaN晶片的待抛光表面氧化形成氧化镓，氧化镓与抛光液中的氢氧根离子结合形成氢氧化镓钝化层，氧化镓与抛光液中的氢离...
该专利属于东莞市中镓半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中镓半导体科技有限公司授权不得商用。

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