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本发明公开了一种自组装单分子膜诱导生长DAST及其衍生物单晶薄膜的方法，首先在衬底的表面自组装含有‑SO3‑、‑OH、‑Cl‑、‑NH2、‑F‑和‑COOH中的一种或几种官能团的一层单分子薄膜，使衬底官能团化，然后将官能团化的两片衬底并排紧...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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