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本发明涉及通式（Ⅰ）的咔唑化合物和含此类咔唑化合物的半导体材料。此外还涉及此类咔唑化合物的制备方法，以及其作为半导体材料的用途，特别是作为磷光发射体的主体基质，（Ⅰ）其中－Ｒ↓［１］和－Ｒ↓［２］在每次出现时是相同或不同的，是－ＯＲ↑［４１...该专利属于皇家飞利浦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过皇家飞利浦电子股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及通式（Ⅰ）的咔唑化合物和含此类咔唑化合物的半导体材料。此外还涉及此类咔唑化合物的制备方法，以及其作为半导体材料的用途，特别是作为磷光发射体的主体基质，（Ⅰ）其中－Ｒ↓［１］和－Ｒ↓［２］在每次出现时是相同或不同的，是－ＯＲ↑［４１...