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本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区结构和浅沟槽隔离结构；所述半导体衬底表面形成有栅极结构和位于所述栅极结构侧壁的侧墙，所述栅极结构包括位于半导体衬底表面的栅介质层，所述栅介质层包括位于半导体...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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