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本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法，该晶体管包括：衬底；沟道层，位于衬底之上；势垒层，位于沟道层之上，势垒层与沟道层的交界面处形成有二维电子气；沟槽，位于势垒层之内；二次生长的半导体外延层，位于沟槽之上；原位介质层，位于二...
该专利属于苏州捷芯威半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州捷芯威半导体有限公司授权不得商用。

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