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一种利用低温化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜的方法技术
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文档序号:15060622
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本发明公开了一种利用低温化学气相沉积技术制备非晶碳薄膜的方法,该方法包括以下步骤:(1)清洗单晶硅片;(2)将清洗好的硅片放入充有氧气的高温石英退火炉中进行热氧化处理,使其表面形成一层氧化硅薄膜;(3)以甲烷为反应气体,采用等离子体增强化学...
该专利属于三峡大学所有,仅供学习研究参考,未经过三峡大学授权不得商用。
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