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本发明涉及晶圆级单层二硫化钼膜及其制备方法。一种通过化学气相沉积来制备单层MoS2膜的方法包括：通过第一通道将第一载气引导至衬底，所述第一通道中设置有固态S前体；通过第二通道将第二载气引导至所述衬底，所述第二通道中设置有固态MoO3前体，所...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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