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一种A位Pr掺杂BIT薄膜及其制备方法技术
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文档序号:15052359
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本发明公开了一种A位Pr掺杂BIT(钛酸铋)薄膜及其制备方法。该薄膜的组成分子式为Bi(4-11x/9)PrxTi3O12,x取值0.3-0.9。其制备方法包括:(1)以纯度均为分析纯的Bi2O3、TiO2和Pr6O11为原料制备A位Pr掺...
该专利属于北京有色金属研究总院所有,仅供学习研究参考,未经过北京有色金属研究总院授权不得商用。
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