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本发明等离子蚀刻单颗化半导体封装和相关方法。提供了多个半导体封装，其特征在于：未单颗化的半导体封装的阵列，至少部分地包封在包封材料中，所述阵列被通过以下方式单颗化：使用等离子蚀刻工艺以及蚀刻掩模和夹具在所述包封材料中同时蚀刻多条第一平行单颗...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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