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本发明公开了一种基于低压器件实现对高压电路的ESD保护的方法和电路，其中，所述方法包括：当电容C0接收到ESD脉冲时，产生充电电流，电阻R0上产生压降，控制第二PMOS晶体管MP1和第三PMOS晶体管开启；当通过第二PMOS晶体管MP1和第...该专利属于北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所授权不得商用。