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一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：基底；位于第一区域部分基底表面的第一栅极结构，第一栅极结构包括第一功函数层；位于第二区域部分基底表面的第二栅极结构，第二栅极结构包括第二功函数层，第二功函数层的功函数类型与第一功函数层的功函数...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。