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本发明为一种用于光传感器之光电组件及其制作方法，其包含第一金属层(11)、半导体层(13)、阻隔区(131)以及透明导电层(15)，该阻隔区(131)透过氧化方式反应形成于该半导体层(13)的侧壁，该光电组件(10)在用于光传感器时可通过该...
该专利属于凌巨科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过凌巨科技股份有限公司授权不得商用。

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