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本发明公开了一种具有荷电层的HEMT器件。该具有荷电层的HEMT器件，包括衬底、位于衬底上层的缓冲层、位于缓冲层上层的势垒层和位于势垒层上层的钝化层，所述缓冲层与势垒层的接触面形成异质结；所述势垒层上表面两端分别设置有源电极和漏电极，在源电...
该专利属于陈露露所有，仅供学习研究参考，未经过陈露露授权不得商用。

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