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本发明公开了一种碳纳米管薄膜晶体管及其制作方法。其中，该碳纳米管薄膜晶体管包括：源极和漏极；对应所述源极和所述漏极之间的沟道区域间隔设置的多个带状凸起，所述多个凸起沿所述沟道的宽度方向依次排列，所述凸起沿所述沟道的长度方向延伸；以及设置在所...
该专利属于京东方科技集团股份有限公司;北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;北京大学授权不得商用。

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