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本实用新型提供一种用于离子植入机中的静电透镜的抑制电极。抑制电极具有第一和第二表面及抑制电极开口以用于接收穿过其中沿着z轴行进的离子束，第一和第二表面中的至少一个在y‑z平面中是弯曲的；抑制电极开口具有顶端、底端和中心部分，且抑制电极开口在...
该专利属于瓦里安半导体设备公司所有，仅供学习研究参考，未经过瓦里安半导体设备公司授权不得商用。

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